产品系列OIS 离子源
我们自主研发的高性能射频离子源，专为离子辅助沉积而优化。
适用于高速真空沉积和基片清洗。
特征
- 与使用灯丝等耗材的传统离子源相比，该离子源使用寿命更长，污染更少。
- 它具有很高的运行稳定性，可以长时间运行。
- 它具有很高的离子分布均匀性，能够实现高电流和广域辐照。
规格
| OIS-Two/ OIS-Two Plus |
OIS-Three/ OIS-Three Plus |
OIS-Four | OIS-GL | |
| 尺寸 | φ300mm×H150mm | φ390mm×H215mm | φ224mm×H143mm | φ163mm×H200mm |
| 栅网尺寸 | φ17㎝ | φ23cm／26cm | φ10cm | 无栅网 |
| 离子束电压 | 100V～1500V | 50V～350V | ||
| 离子束电流(MAX) | 1200mA | 1800mA/2400mA | 500mA | OIS-GL |
| Acc电压 | 100V～1000V | |||
| RF功率(MAX) | 750W/1000W | 2000W | 600W | |
| 气体流量 | 20sccm～30sccm(氩气) 40sccm～60sccm(氧气) |
10sccm～20sccm(氩气) 25sccm～35sccm(氧气) |
5sccm～50sccm(氩气) 10sccm～100sccm(氧气) |
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| 使用压力 | 5×10⁻²Pa | 5×10⁻²Pa | 5×10⁻²Pa以下 | 3.5×10⁻²Pa以下 |