製品紹介OWLE リフトオフ蒸着装置
高真空下で連続成膜が可能なインターバック式蒸着装置です。
優れた膜厚分布と直入性で、電子デバイス向けリフトオフ成膜におよび光学薄膜の量産に適しております。
特長
- 多数ウェハを一度に処理
- すぐれた成膜直入性
- 大容量および多点ハース
- オプションでプロセス室の追加が可能
応用分野
-
ヘッドマウントディスプレイ/
スマートグラス -
電子デバイス
（通信デバイス(BAW/SAW)）
仕様
| OWLE-1950 | |
| 真空チャンバ | D2100mm ×H2060mm(PC) |
| 基板ドーム | φ1950mm |
| 蒸着源 | 電子銃2基 |
| イオンソース | RFイオンソース |
| 水晶式膜厚計 | 18点式水晶センサ |
| 光学膜厚制御システム | DHOM-4T 波長範囲: 350nm~2400nm 透過式 |
| OWLE-1100S | OWLE-1100 | |||
| ウエハサイズ | 6-inch | 8-inch | 4-inch | 6-inch |
| ドーム搭載枚数 | <90°±3° | <90°±4° | 30 wafers | 15 wafers |
| 膜厚均一性(Max-Min)/(2×Ave) | <±2.0% | <±3.0% | <±1.0% | <±2.0% |
| 坩堝 | φ80mm ×12 pieces | 14 wafers | φ80mm ×20 pieces | |
| 水晶振動子（膜厚測定） | 20 (located at center of dome) | 20 (located at center of dome) | ||
| 成膜チャンバのポンプ | 2sets of cryopump and super trap | Four turbo pumps and two cryopumps with super traps |
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| プロセスチャンバの到達圧力 | ＜9.9E-6Pa | ＜9.9E-6Pa | ||