イオンアシスト蒸着装置

Gener-2350

本装置は防汚膜（AS）、反射防止膜（AR）だけでなく、両者を組み合せた成膜（AR+AS）に特化した大型光学薄膜形成装置です。

特長
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ドーム回転は磁気シール駆動による中心回転方式で安定且つ均一膜分布がえられます。
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RFイオンソースの搭載により、膜の耐摩擦性が向上。
（4万回以上の摩擦試験クリア※）
※摩擦試験の規格により、摩擦回数は異なることがあります。
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防汚膜（AS 膜）を大量生産する事が可能。

仕様

真空チャンバ φ2350mm × H1400mm
基板ドーム φ 2200mm, 5 分割式
基板ドーム回転速度 20rpm
水晶式膜厚計 6点式水晶モニタ
蒸発源 電子銃１基、可動式AS源
イオンソース RFイオンソース
　

性能

到達圧力 7.0E-5Pa以下
排気時間 15分以下（大気圧～ 2.0 × 10-3Pa まで）
　

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